学会発表・招待講演 2024
学会発表・招待講演
*印は共同研究者による発表,アンダーラインが発表(講演)者です。最近の依頼・招待講演リスト。
- 2024年
- 2024/11/24-27
ENGE2024 (The 8th International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment)
(invited, "CVD Growth, Integration, and Electronic Applications of High-Quality 2D Materials for 2.5-Dimensional Materials Science", H. Ago)
Jeju, South Korea - 2024/11/1-2
The 38th International Japan-Korea Seminar on Ceramics
(keynote 11/1, "Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for "Science of 2.5D Materials"", H. Ago)
Fukuoka - 2024/10/29-30
Vietnam Japan Symposium in Kyushu for Semiconductor, Innovation & Human Resource Development(半導体イノベーションと人材育成のための日越シンポジウム)
(10/29, ”Potential of 2.5-Dimensional Materials for Future Semiconductor Industry”,H. Ago)
Fukuoka - 2024/10/25
半導体・デバイスエコシステム研究教育センター 開所式および設置記念シンポジウム
(”次世代半導体応用を目指した2.5次元物質の研究開発”,吾郷浩樹)
Fukuoka - 2024/10/24
中山報恩会 講演交流会
(依頼講演 , ”ナノの世界の研究者生活”,吾郷浩樹)
福岡 - 2024/10/22-24
第14回 CSJ化学フェスタ2024(シンポジウム:化学の魔法が紡ぐ半導体の未来~次世代半導体への挑戦~)
(依頼講演 10/22, ”エレクトロニクス応用を目指した2.5次元物質の創製とプロセッシング”,吾郷浩樹)
オンライン - 2024/10/17-18
炭素材料学会基礎講習会「多様な炭素材料の物性・機能の基礎」
(依頼講演 10/18, ”グラフェンの合成・物性・応用、そして2.5次元物質への広がり”,吾郷浩樹)
オンライン - 2024/9/26-27
International Czech-Japanese Symposium on Advanced Multiscale Materials for Key Enabling Technologies
(invited 9/26, "Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for “Science of 2.5D Materials", H. Ago)
Prague, Czech Republic - 2024/9/24-25
International UK-Japan Symposium on 2D Materials
(oral, 9/24, "CVD growth and transfer of 2D materials for “Science of 2.5D Materials", H. Ago)
Cambridge, UK - 2024/9/1-3
第67回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
(ポスター 9/1, "Transfer-assisted formation of aligned graphene nanoscrolls", T. Maezawa, P. Solís Fernández, M. Nakatani, H. Ago)
(ポスター 9/1, "Twist-angle dependence of chemical reactivity of bilayer graphene", M. Matsuda, P. Solís-Fernández, T. Matsunaga, S. Okada, H. Ago)
(ポスター 9/3, "CVD growth and magnetic tunnel junction application of few-layer hexagonal boron nitride", S. Masuda, S. Emoto, H. Kusunose, S. Fukamachi, T. Kimura, Y.-C. Lin, H. Sun, K. Suenaga, H. Ago)
高知
- 2024/7/28-8/2
36th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS2024)
(invited 8/1, "Science of 2.5 dimensional materials: Integration of high-quality 2D materials for electronic devices and catalysis", H. Ago)
Otawa, Canada - 2024/7/22-24
2024 AEFM (Advanced Epitaxy for Freestanding Membranes and 2D Materials)
(invited 7/22, "Science of 2.5D materials: Beyond 2D materials", H. Ago)
- 2024/7/17-20
RPGR 2024 (The 15th Recent Progress in Graphene and 2D Materials Research Conference)
(invited 7/18, "CVD synthesis and transfer of 2D materials for “2.5D materials science"", H. Ago)
(poster, "Aligned growth and applications of TMD nanoribbons", Z. Ma)
Nanjing, China - 2024/6/25-28
Graphene 2024
(invited 6/27, "Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for 2.5D materials science", H. Ago)
Madrid, Spain - 2024/5/20-23
2D-TMD 2024
(invited 5/20, "CVD Synthesis and Transfer of 2D materials for “Science of 2.5D Materials", H. Ago)
Hong Kong - 2024/3/22-25
応用物理学会 春季学術講演会
(招待講演 (シンポジウム Beyond Graphene)3/24, "二次元物質から「2.5次元物質」の創出へ", 吾郷浩樹)
(口頭 3/23, "機能性テープによるCVD合成したMoS2の大面積転写", 黒木麻衣, 深町悟, 中谷真季, Zongpeng Ma, 本田哲士, 保井淳, 吾郷浩樹)
(ポスター 3/22, "数層hBNのCVD成長と磁気トンネル接合素子への応用", 江本暁, 楠瀬宏樹, 益田純奨, 深町悟, Yung-Chang Lin, 末永和知, 木村崇, 吾郷 浩樹)
(ポスター 3/22, "CVD成長した多層hBNのラマンスペクトルのショルダーピークの解析", 小子内行羅, Pablo Solís-Fernández, 深町悟, 吾郷浩樹)
東京 - 2024/3/18-21
日本化学会 第104春季年会 シンポジウム
(招待講演 3/19, "2.5次元物質が拓く新たな学術と先端応用", 吾郷浩樹)
千葉 - 2024/3/6-8
第66回 フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム
(ポスター, "Raman spectroscopy analysis of CVD-grown multilayer hBN", T. Okonai, P. Solís-Fernández, S. Fukamachi, H. Ago)
東京 - 2024/1/27
第29回高専シンポジウム in Nagaoka
(ポスター, "多層六方晶窒化ホウ素の成長における触媒基板の結晶方位の影響", 下村優依, 小子内行羅, 吾郷浩樹, 川上雄士)
新潟 - 2024/1/11-12
JAIST International symposium of Nano-Materials for Novel Devices
(invited 1/11, "Large-scale growth and integration of high-quality 2D materials for 2.5D materials science", H. Ago)
(poster 1/11, "Application of large-area CVD-grown few-layer hexagonal boron nitride to magnetic tunnel junction devices", S. Emoto, H. Kusunose, S. Masuda, S. Fukamachi, T. Kimura, H. Ago)
(poster 1/11, "Transferable high-k/boron nitride gate dielectric for 2D field-effect transistors", E. Y. Jung, P. Solís-Fernández, K. Yamamoto, H. Ago)
Ishikawa
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