現在進行中の研究課題
科学研究費
令和6～令和10年度 基盤研究(S)
代表: 浜屋 宏平(大阪大学), 分担: 澤野 憲太郎(東京都市大学), 山本 圭介
課題名: シリコンゲルマニウム光スピントロニクスの開拓
令和6～令和8年度 基盤研究(C) 代表: 山本 圭介
課題名: 中空ゲルマニウム構造に基づく高性能電子・光デバイス集積化技術の開発
その他
令和6～令和11年度 JST TopのためのASPIRE 研究課題分野「半導体」
代表: 中塚 理(名古屋大学), 分担: 小野 崇人(東北大学), 浜屋 宏平(大阪大学), 東 清一郎(広島大学), 王 冬
課題名: 半導体ヘテロジニアス集積デバイスのためのIV族混晶材料の汎用量子物性制御
JST-CREST 研究領域「情報担体を活用した集積デバイス・システム」
代表: 中塚 理(名古屋大学), 分担: 前田 辰郎(産総研), 王 冬, 末岡 浩治(岡山県立大学)
課題名: 狭ギャップIV族混晶による赤外多帯域受発光集積デバイス
令和6～令和8年度 九州大学 - TSMC 共同研究プロジェクト
代表: 王 冬
課題名: Development of metal/n+-Ge contact with extremely low contact resistivity for future scaled CMOS devices
過去の研究課題 (課題区分をクリックすると展開します)
令和5～令和7年度 基盤研究(C) 代表: 王 冬
課題名: Ge-On-Insulator基板を利用したMIS型近赤外発光素子の研究開発
令和元～令和5年度 基盤研究(S)
代表: 浜屋 宏平(大阪大学), 分担: 澤野 憲太郎(東京都市大学), 山本 圭介
課題名: ゲルマニウムスピンMOSFETの実証
平成31～令和2年度 若手研究 代表: 山本 圭介
課題名: Ge-on-Insulator基板上のSteep SlopeトンネルFETの実現
平成29～31年度 基盤研究（B）代表: 王 冬
課題名: Ge-On-Insulator基板上への局所歪み導入によるGe-光素子の高性能化
平成26～28年度 基盤研究（B）代表： 王 冬
課題名：Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
平成25～26年度 研究活動スタート支援 代表： 山本 圭介
課題名：MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現
平成24年度 特別研究員奨励費 代表：中島 寛, 受入研究員：山本 圭介
課題名：高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発
平成23～24年度 若手研究（B）代表：王 冬
課題名：Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用
平成21～22年度 若手研究（B）代表：王 冬
課題名：高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価
平成18～19年度 特別研究員奨励費 代表： 中島 寛, 受入研究員：王 冬
課題名：精密欠陥制御による高品質SiGe仮想基板の形成
2020年度「NEDO先導研究プログラム／未踏チャレンジ2050」(2020年度～2025年度)
代表: 都甲 薫(筑波大学), 分担: 山本 圭介
課題名: 低消費電力フレキシブルCMOSの創製
JSPS二国間交流事業・共同研究
ベルギー(FWO)との共同研究 (2022年度～2023年度)
代表: 山本 圭介, 相手国機関: imec
課題名: 中空Ge基板を用いた高品質Ge-on-Insulator作製プロセスの新規開発
令和3-5年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 山本 圭介, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: Si・Ge混合プラットフォーム上への異種機能混載集積回路の実現
平成28～32年度 文部科学省 卓越研究員事業 山本 圭介
平成30～令和2年度 東北大学電気通信研究所共同プロジェクト研究
代表: 中島 寛, 東北大通研対応教員: 櫻庭 政夫
課題名: Ge-on-Insulator基板上でのメタル・ソース／ドレイン型CMOSの実現
平成30年度 九州大学QRプログラム わかばチャレンジ 代表: 山本 圭介
課題名: 電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー
平成27年度 代表： 山本 圭介
課題名：超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究
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共同研究実施企業
(株)SUMCO、(株)東芝セミコンダクター社、(株)東芝研究開発センター、(株)日立製作所、(株)福菱セミコンエンジニアリング、(株)半導体理工学研究センター、ワッカー・エヌエスシーイー(株)、アルバック(株)、TSMC
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