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Grant-in-Aid for Scientific Research
FY2024-2028 Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Leader: Kohei HAMAYA (Osaka Univ.), Members: Kentaro SAWANO (Tokyo City Univ.), Keisuke YAMAMOTO
Title: Pioneering SiGe Optical Spintronics
FY2024-2026 Grant-in-Aid for Scientific Research (C): Keisuke YAMAMOTO
Title: Development of High-Performance Electronic and Optical Device Integration Technology Based on Ge-on-Nothing Structures
Others
FY2024-2029, JST ASPIRE FOR TOP SCIENTISTS, Research Field "Semiconductor"
Leader: Osamu NAKATSUKA(Nagoya Univ.), Member: Takahito ONO(Tohoku Univ.), Kohei HAMAYA(Osaka Univ.), Seiichirou HIGASHI(Hiroshima Univ.), Dong WANG
Title: Versatile Quantum Engineering of Group-IV Alloy Materials for Semiconductor Heterogeneous Integrated Devices
JST-CREST Research area "Integrated Devices and Systems Utilized by Information Carriers"
Leader: Osamu NAKATSUKA(Nagoya Univ.), Member: Tatsuro MAEDA(AIST), Dong WANG, Koji SUEOKA(Okayama pref. Univ.)
Title: Wide range infrared photo emission and detection integrated devices by narrow gap gropu IV arroy
FY2024-2026 Kyushu University - TSMC Joint Development Project: Dong WANG
Title: Development of metal/n+-Ge contact with extremely low contact resistivity for future scaled CMOS devices
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FY2023-2025 Grant-in-Aid for Scientific Research (C): Dong WANG
Title: esearch and development of MIS-type near-infrared light-emitting devices using Ge-On-Insulator substrates
FY2019-2023 Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
Title: Development of a germanium spin MOSFET
FY2019-2020 Grant-in-Aid for Young Scientists Leader: Keisuke YAMAMOTO
Title: Steep Slope Tunnel FET on Ge-on-Insulator
FY2017-2019 Grant-in-Aid for Scientific Research (B) Leader: Dong Wang
Title：Performance improvement of Ge photodevice by strain introduction on Ge-On-Insulator
平成26～28年度 基盤研究（B）代表： 王 冬
課題名：Ge-CMOSと混載可能な高性能Ge-光素子実現のための基盤技術開発
平成25～27年度 基盤研究（A）代表： 中島 寛
課題名：メタル・ソース/ドレイン型Ge-CMOS実現のための基盤技術開発
平成25～26年度 挑戦的萌芽研究 代表： 中島 寛
課題名：金属窒化膜/Ⅳ族半導体ナノ界面制御による超低電子障壁コンタクトの創製
平成25～26年度 研究活動スタート支援 代表： 山本 圭介
課題名：MOS界面の電荷補償による高移動度Ge MOSFETの実現
平成24年度 特別研究員奨励費 代表：中島 寛, 受入研究員：山本 圭介
課題名：高性能ULSIのための歪みGe MOSFETの研究開発
平成23～24年度 若手研究（B）代表：王 冬
課題名：Ge結晶への局所歪み技術の開発とトランジスタ応用
平成21～23年度 特別研究員奨励費 代表：中島 寛, 受入研究員：楊 海貴
課題名：局所酸化濃縮による歪みGe-On-Insulator基板の形成
平成21～23年度 基盤研究（A）代表： 中島 寛
課題名：高性能ULSIのための歪みGeチャネルの形成と物性評価
平成21～22年度 若手研究（B）代表：王 冬
課題名：高性能バイポーラトランジスタのための高精度・局所歪み評価
平成19～21年度 特定領域研究公募 (ポストスケール） 代表： 中島 寛
課題名：絶縁膜上のGeチャネルに於ける結晶・界面の総合評価
平成18～19年度 特別研究員奨励費 代表： 中島 寛, 受入研究員：王 冬
課題名：精密欠陥制御による高品質SiGe仮想基板の形成
平成18～19年度 基盤研究(B) 代表：中島 寛
課題名：省電力ＬＳＩ用高誘電率ゲート絶縁膜の薄膜スケーリング手法の構築
平成16～17年度 基盤研究(B) 代表：中島 寛
課題名：省電力LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の自己整合プロセス開発
平成13～15年度 基盤研究(B) 代表： 中島 寛
課題名：次世代LSI用高誘電率ゲート絶縁膜の低温形成と機能評価
FY2024-2026 RIEC Nation-wide Cooperative Research Project, Tohoku University
Leader: Keisuke YAMAMOTO, Corresponding professor in Tohoku Univ.: Masao SAKURABA
Title: Realization of monolithic three-dimensional stacked devices composed of single-crystalline silicon/polycrystalline germanium tin
FY2020 NEDO "MITOU Challenge 2050" (FY2020-2025)
Leader: Kaoru TOKO (Tsukuba Univ.), Member: Keisuke YAMAMOTO
Title: Development of flexible CMOS with low power consumption
FY2016-2020 MEXT/JSPS Leading Initiative for Excellent Young Researchers (LEADER), Keisuke YAMAMOTO
FY2018-2020 RIEC Nation-wide Cooperative Research Project, Tohoku University
Leader: Hiroshi NAKASHIMA, Corresponding professor in Tohoku Univ.: Masao SAKURABA
Title: Development of Metal Source/Drain CMOS on Ge-on-Insulator
平成30年度 九州大学QRプログラム わかばチャレンジ 代表: 山本 圭介
課題名: 電子・光デバイス応用に向けたIV族半導体の高品質ヘテロエピタキシー
平成27年度 代表： 山本 圭介
課題名：超低消費電力GeトンネルFET実現に向けた基盤研究
平成25年度 代表： 浜屋 宏平(九州大学大学院システム情報科学研究院)
課題名：超低消費電力デバイスを指向したスピントロニクスと半導体テクノロジーの革新的融合
研究制度名：文部科学省・知的クラスター創成事業(第Ⅱ期)：福岡先端システムLSI開発拠点構想
研究課題名：カーエレクトロニクス用高機能Siデバイス創成のための基盤技術研究開発
研究リーダ：中島 寛
研究組織：(株)東芝セミコンダクター、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州大学大学院総合理工学研究院、九州工業大学工学部
研究期間：平成19～23年度
研究制度名：STARC共同研究
研究課題名：次世代高性能多機能LSIの為のハイブリッド・マテリアル技術 －新結晶成長と高精度評価技術－
研究リーダ：宮尾 正信(システム情報科学研究院)
研究組織：半導体理工学センター、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院
研究期間：平成19～21年度
研究制度名：科学技術振興機構・産学共同シーズイノベーション化事業・顕在化ステージ
研究課題名：次世代移動体通信用アナログデバイスへのひずみ印加技術の顕在化
研究リーダ：中島 寛
研究組織：(株)東芝セミコンダクター、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院、九州大学大学院システム情報科学研究院
研究期間：平成18年度
研究制度名：経済産業省・地域新生コンソーシアム研究開発事業
研究課題名：省電力LSI用高機能Siウェーハの研究開発
研究代表者：中島 寛
研究組織：(株)SUMCO、福菱セミコンエンジニアリング㈱、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州工業大学マイクロ化総合技術センター、(財)福岡県産業・科学技術振興財団
研究期間：平成16～17年度
研究制度名：文部科学省・科学技術振興調整費：産学官共同研究の効果的な推進
研究課題名：次世代LSI用高機能Siウェーハの研究開発
研究代表者：宮尾 正信(システム情報科学研究院)
研究組織：(株)SUMCO、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院総合理工学研究院、九州工業大学マイクロ化総合技術センター
担当課題： 電気的欠陥の高感度評価とマッピング
研究期間：平成16～17年度
研究制度名：文部科学省 科学技術振興調整費：先導的研究等の推進
研究課題名：高速LSI用歪SOIウェーハの研究開発
研究代表者：中島 寛
研究組織：三菱住友シリコン(株)、福菱セミコンエンジニアリング(株)、(独)産業技術総合研究所新炭素系材料開発研究センター、九州大学グローバルイノベーションセンター、九州大学大学院システム情報科学研究院、九州工業大学、(財)福岡県産業・科学技術振興財団
研究期間：平成13～15年度
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Collaborative companies
SUMCO, TOSHIBA Semiconductor Corporation, TOSHIBA Research & Development Center, Hitachi, Ltd., Fukuryo semicon engineering, Semiconductor Technology Academic Research Center (STARC), Wacker NSCE Corp., ULVAC, TSMC
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